型号:

UPA679TB-T1-A

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Renesas Electronics America描述:MOSFET N/P-CH 20V SC-70 6SSP
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 阵列
UPA679TB-T1-A PDF
标准包装 1
系列 -
FET 型 N 和 P 沟道
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 350mA,250mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 570 毫欧 @ 300mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) -
闸电荷(Qg) @ Vgs -
输入电容 (Ciss) @ Vds 28pF @ 10V
功率 - 最大 200mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装 SC-88
包装 标准包装
其它名称 UPA679TB-T1-ADKR
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